薄膜材料熱擴散量測 TM3B
型號 : TM3B
產品說明
TM3B熱物性顯微鏡主要應用於半導體等薄膜材料熱滲透率測試，使用點雷射對樣品實施周期性加熱方式，屬於非接觸式方法測試材料熱擴散率， 薄膜厚度在數百奈米亦可測試，點雷射方式可以精準掌握材料Z軸導熱狀態，搭配XY電控平台記錄每個座標點之熱傳導率，專用分析軟體3D可視化解析材料熱傳導率面積分佈圖，有助於判定熱傳導缺陷
TM3B系列熱擴散率測試儀器可測試實體樣品廣泛之材料，如 氧化鋁(Al2O3)， 碳化矽(SiC)，氮化鋁(AlN)，或砷化鎵(GaAs)表面鍍金(Au)之電極凸塊...等
本儀器除了同方向熱擴散率有優異的表現外，異方向熱擴散率測定評價也可進行
特色
- Sub micron 以上之薄膜熱擴散率測試
- 雷射加熱方式非接觸樣品
- 樣品尺寸不必規格化, 30x30x3mm以下
- 搭配XYZ載台可連續測試並圖像化
- PI, SiC, AlN, Al2O3, Au, ...等各種薄膜材料測試
- 追加功能：熱浸透率(b)、體積熱容量(C)、熱傳導率(λ)
規格
薄膜材料熱擴散量測 TM3B
| 模式 | 熱物性分佈測量（線，2D，點） |
|---|---|
| 測量 | 熱擴散，（熱容），（熱導） |
| 點大小 | 大約3[µm] |
| 測量時間 | 10秒一個點 |
| 厚度 | 亞微米至µm |
| 重複精度 | 在耐熱玻璃以及矽中的熱擴散率誤差±10% |
| 樣品 | 支架尺寸 : 30 X 30 X 5[mm] 樣品尺寸: 小於30 X 30 X 3[mm] 樣品表面必需拋光 樣品表面必需用鉬濺鍍 |
| 使用溫度 | 20±1[°C]（感測器在系統中） |
| XY載台位移 | X軸20[mm]，Y軸20[mm]，Z軸4[mm] |
| 加熱雷射 | 雷射二極體 808[nm] |
| 探測雷射 | 雷射二極體 633[nm] |
| 電源消耗 | 交流100[V]-1.5[kVA] |
| 配件 | 樣品支架，參考樣品 |
| 選配 | 選配桌，空調設備，空調房，濺鍍設備 |
| 主體 | 外部尺寸：730(W) X 620(D) X 560(H)[mm]，重: 80[kg] |
| 電源箱 | 外部尺寸：620(W) X 480(D) X 310(H)[mm]，重: 26.4[kg] |
產品說明
TM3B熱物性顯微鏡主要應用於半導體等薄膜材料熱滲透率測試，使用點雷射對樣品實施周期性加熱方式，屬於非接觸式方法測試材料熱擴散率， 薄膜厚度在數百奈米亦可測試，點雷射方式可以精準掌握材料Z軸導熱狀態，搭配XY電控平台記錄每個座標點之熱傳導率，專用分析軟體3D可視化解析材料熱傳導率面積分佈圖，有助於判定熱傳導缺陷
TM3B系列熱擴散率測試儀器可測試實體樣品廣泛之材料，如 氧化鋁(Al2O3)， 碳化矽(SiC)，氮化鋁(AlN)，或砷化鎵(GaAs)表面鍍金(Au)之電極凸塊...等
本儀器除了同方向熱擴散率有優異的表現外，異方向熱擴散率測定評價也可進行
特色
- Sub micron 以上之薄膜熱擴散率測試
- 雷射加熱方式非接觸樣品
- 樣品尺寸不必規格化, 30x30x3mm以下
- 搭配XYZ載台可連續測試並圖像化
- PI, SiC, AlN, Al2O3, Au, ...等各種薄膜材料測試
- 追加功能：熱浸透率(b)、體積熱容量(C)、熱傳導率(λ)
規格
薄膜材料熱擴散量測 TM3B
| 模式 | 熱物性分佈測量（線，2D，點） |
|---|---|
| 測量 | 熱擴散，（熱容），（熱導） |
| 點大小 | 大約3[µm] |
| 測量時間 | 10秒一個點 |
| 厚度 | 亞微米至µm |
| 重複精度 | 在耐熱玻璃以及矽中的熱擴散率誤差±10% |
| 樣品 | 支架尺寸 : 30 X 30 X 5[mm] 樣品尺寸: 小於30 X 30 X 3[mm] 樣品表面必需拋光 樣品表面必需用鉬濺鍍 |
| 使用溫度 | 20±1[°C]（感測器在系統中） |
| XY載台位移 | X軸20[mm]，Y軸20[mm]，Z軸4[mm] |
| 加熱雷射 | 雷射二極體 808[nm] |
| 探測雷射 | 雷射二極體 633[nm] |
| 電源消耗 | 交流100[V]-1.5[kVA] |
| 配件 | 樣品支架，參考樣品 |
| 選配 | 選配桌，空調設備，空調房，濺鍍設備 |
| 主體 | 外部尺寸：730(W) X 620(D) X 560(H)[mm]，重: 80[kg] |
| 電源箱 | 外部尺寸：620(W) X 480(D) X 310(H)[mm]，重: 26.4[kg] |